鍺CMP拋光液
鍺材料CMP拋光液是廣東騰駿化工科技有限公司生產的高端產品,廣泛應用于大尺寸硅晶片拋光工藝中。該產品在實際應用中憑借濃度高、純度高、金屬離子污染低、速率穩(wěn)定性高、一致性好等卓越的性能得到了客戶的充分肯定。該產品投放市場以來受到了多家客戶的好評,目前已在國內多家生產線上通過了測試,并獲得很好的應用效果,且性能達到了美、日等進口產品水平。
二、主要特點HPHE/SSPS-SH-2034型硅材料CMP漿料采用我司自主合成的SiO2水溶膠作為磨料。該磨料合成過程中采用新的合成工藝和自動化的生產控制,在傳統(tǒng)膠體的基礎上提高了粒徑均勻性和純度,專門應用于高端產品。產品配制過程中采用了封閉式自動化的配制合成方式,各種輔助試劑具有嚴格的檢測標準,并且進行現(xiàn)場的配制合成,避免了原料存儲過程中的不穩(wěn)定因素導致產品質量問題。在拋光中根據(jù)需要可以優(yōu)化不同配比,均能達到最佳使用效果。與美國和日本的同類產品相比,該類產品具有濃縮度高、磨料粒徑可控、表面張力小、對有機物、金屬離子及顆粒容易清洗、拋光速率高、高溫不出現(xiàn)非均化蝕坑、拋光一致性好等優(yōu)點。
三、主要用途主要用于多重擴散硅片的高質量拋光,也可用于原始鍺、二氧化硅等材料的拋光工藝。
四、基本參數(shù)pH值 | 比重 | 粘度(mPa.s,25℃) | 粒徑(nm) | SiO2% | 外觀 |
10.0-12.5 | 1.265-1.300 | ≤5 | 120-140 | 38-42 | 乳白 |
建議HPHE/SSPS-SH-2034型漿料和去離子水的配比為1:15-20,也可根據(jù)實際工藝要求改變配比。
1、漿料使用過程中盡量避免直接暴露,防止污染物進入漿料中造成劃傷。
2、冬季氣溫較低(<5℃)時,漿料不可放置室外,需存放在恒溫倉庫,一旦發(fā)生凝膠將不可使用。
3、漿料使用過程中需要及時清洗管路和器具,避免漿料長期殘留在管路和容器中造成凝膠,引起晶片表面劃傷。
4、漿料循環(huán)使用時,需要在管口添加過濾裝置,以免發(fā)生凝膠而又反復應用時造成晶片表面劃傷。
七、運輸及保存1、運輸與存放溫度為5-40℃,25℃為最佳存放溫度,存放時應避光,以避免拋光液變質。
2、保質期一年,建議半年內使用。
3、避免金屬、顆粒污染,避免強電解質的接觸。
包裝規(guī)格25kg/桶、250kg/桶、1000kg/桶。
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